Mô tả sản phẩm

QS0J65BTB2-12DT-K

THÔNG SỐ KỸ THUẬT HIỆU SUẤT QS0J65BTB2-12DT-K

Thông số kỹ thuật đầu vào
Số đầu vào		8 (đối với đầu vào song công) 16 (đối với đầu ra đơn)
Điện áp đầu vào định mức		24 V DC (tỷ lệ gợn trong vòng 5%) (dải điện áp cho phép từ 19,2 đến 28,8 V DC)
Xếp hạng đầu vào hiện tại		Xấp xỉ 4,6mA
Số điểm đầu vào đồng thời tối đa		100%
BẬT điện áp / BẬT hiện tại		15 V DC trở lên / 2 mA trở lên
TẮT Điện áp / TẮT Dòng điện		5 V DC trở xuống / 0,5 mA trở xuống
Kháng đầu vào		Xấp xỉ 5,6 kΩ
Định dạng đầu vào		Đầu vào DC (loại phổ biến âm)
Thời gian phản hồi đầu vào	TẮT > BẬT	0,4 mili giây trở xuống (24 V DC)
Thời gian phản hồi đầu vào	BẬT > TẮT	0,4 mili giây trở xuống (24 V DC)
Thời gian đáp ứng đầu vào trạm từ xa an toàn		11,2 ms trở xuống + thời gian lọc khử nhiễu (1 ms, 5 ms, 10 ms, 20 ms, 50 ms)
Phương thức nhập chung		16 điểm 1 chung (mô hình khối đầu cuối, loại 2 dây)
Phương pháp cách nhiệt đầu vào		Cách ly quang
Thông số kỹ thuật đầu ra
Số đầu ra		4 điểm (khi chọn nguồn + loại chìm) 2 điểm (khi chọn nguồn + loại nguồn)
Điện áp tải định mức		24 V một chiều
Phạm vi điện áp tải hoạt động		19,2 đến 28,8 V DC (Tỷ lệ gợn trong vòng 5%)
Dòng tải tối đa		0,5 Đ/1 điểm
Dòng khởi động tối đa		1,0 A, 10 mili giây trở xuống
Dòng điện rò rỉ khi TẮT		0,5 mA trở xuống
Giảm điện áp tối đa khi BẬT		1.0 V DC trở xuống
Chức năng bảo vệ		Chức năng bảo vệ quá tải đầu ra
Định dạng đầu ra		Loại nguồn + chìm Nguồn + loại nguồn
Thời gian đáp ứng đầu ra	TẮT > BẬT	0,4 mili giây trở xuống (24 V DC)
Thời gian đáp ứng đầu ra	BẬT > TẮT	0,4 mili giây trở xuống (24 V DC)
Thời gian đáp ứng đầu ra của trạm từ xa an toàn	TẮT > BẬT	11,2 mili giây trở xuống
Thời gian đáp ứng đầu ra của trạm từ xa an toàn	BẬT > TẮT	10,4 mili giây trở xuống
Ức chế đột biến		Đi-ốt Zener
Đầu ra phương pháp chung		4 điểm 1 chung (mô hình khối thiết bị đầu cuối, loại 2 dây)
Dòng điện chung		Tối đa 4 A (tổng đầu vào và đầu ra)
Phương pháp cách nhiệt đầu ra		Cách ly quang
Thông số kỹ thuật chung
Độ bền điện môi		Giữa tất cả các thiết bị đầu cuối bên ngoài DC nói chung và trái đất: 500 V AC trong 1 phút
Vật liệu chống điện		Giữa tất cả các thiết bị đầu cuối bên ngoài DC nói chung và trái đất: 10 MΩ trở lên ở 500 V DC trên ôm kế
lớp bảo vệ		IP2X
Loại trạm		Trạm I/O từ xa an toàn
Số trạm chiếm đóng		1
Số lần truy cập vào bộ nhớ cố định bên trong thiết bị		10 ¹²
Trạm từ xa an toàn Thời gian xử lý phản hồi làm mới		9,6 mili giây
Cung cấp điện bên ngoài	Vôn	19,2 đến 28,8 V DC (Tỷ lệ gợn trong vòng 5%)
	Hiện hành	60 mA (đối với 24 V DC và với tất cả các điểm BẬT, không bao gồm dòng tải bên ngoài)
	Chức năng bảo vệ	Chức năng bảo vệ quá áp nguồn điện bên ngoài, chức năng bảo vệ quá dòng nguồn điện bên ngoài
	Cầu chì	8 A (không thể thay thế)
đơn vị cung cấp điện	Vôn	19,2 đến 28,8 V DC (Tỷ lệ gợn trong vòng 5%)
	Hiện hành	140 mA trở xuống (24 V DC, với tất cả các điểm đều BẬT)
	Chức năng bảo vệ	Chức năng bảo vệ quá áp nguồn điện đơn vị, chức năng bảo vệ quá dòng nguồn điện đơn vị
	Cầu chì	0,8 A (không thể thay thế)
	Thời gian mất điện tạm thời cho phép	Trong vòng 10 mili giây
Phương thức kết nối dây bên ngoài		Bộ phận giao tiếp, bộ phận cấp nguồn cho thiết bị: Khối đấu dây 2 mảnh 7 điểm (vít M3) Bộ nguồn đầu vào/đầu ra, bộ phận đầu vào/đầu ra: Khối đấu dây 2 mảnh 18 điểm (vít M3) x 3
Cân nặng		0,71kg

THÔNG SỐ KỸ THUẬT CHUNG QS0J65BTB2-12DT-K

Nhiệt độ môi trường xung quanh			0 đến 55°C
Nhiệt độ lưu trữ xung quanh			-40 đến 75°C
Độ ẩm hoạt động xung quanh			5 đến 95% RH, giả sử không ngưng tụ
Độ ẩm lưu trữ xung quanh			5 đến 95% RH, giả sử không ngưng tụ
chống rung	Tương thích JIS B 3502, IEC 61131-2	Dưới sự rung động không liên tục	Tần số: 5 đến 8,4 Hz, Biên độ đơn: 3,5 mm Tần số: 8,4 đến 150 Hz, Gia tốc không đổi: 9,8 m/s ² Quét: 10 lần quét theo mỗi hướng X, Y và Z
chống rung	Tương thích JIS B 3502, IEC 61131-2	Dưới rung động liên tục	Tần số: 5 đến 8,4 Hz, Biên độ đơn: 1,75 mm Tần số: 8,4 đến 150 Hz, Gia tốc không đổi: 4,9 m/s ²
Chống va đập			Tương thích JIS B 3502, IEC 61131-2 (147 m/s ² , trong thời gian 11 ms, 3 lần theo 3 hướng X, Y và Z với xung nửa hình sin)
Bầu không khí điều hành			Không có khí ăn mòn
Độ cao hoạt động			0 đến 2.000 m
Vị trí lắp đặt			Bên trong bảng điều khiển
Danh mục quá áp			II hoặc thấp hơn
Mức độ ô nhiễm			2 hoặc ít hơn
lớp thiết bị			Hạng III

– CPU MITSUBISHI: Q2ACPU, Q2ACPU-S1, Q2ASCPU-S1, Q3ACPU, Q4ARCPU, Q4ACPU, Q2ASHCPU-S1, Q26UDHCPU, Q13UDHCPU, Q06UDHCPU, Q06HCPU-A, Q04UDHCPU, Q03UDCPU, Q02HCPU-A,Q02UCPU, Q02CPU-A, Q00JCPU, Q2ASCPU, Q2ASHCPU-S1, Q2ASHCPU, Q2ASCPU-S1, 2ASCPU, Q25PHCPU,Q25HCPU, Q12PRHCPU, Q12PHCPU, Q12HCPU, Q06HCPU, Q02HCPU, Q02CPU, Q01CPU, Q00JCPU-E, Q00CPU
– BATTERY MEMORY MITSUBISHI: Q6BAT, Q3MEM-8MBS, Q3MEM-4MBS, A1SNMCA-8KP, Q1MEM-64S, Q1MEM-512SE, Q1MEM-512S,Q1MEM-2MS, Q1MEM-256SE, Q1MEM-256S, Q1MEM-1MSE, Q1MEM-1MS, Q1MEM-128SE, Q1MEM-128S, Q2MEM-BAT, Q2MEM-ADP, Q2MEM-8MBA, Q2MEM-4MBF, Q2MEM-32MBA, Q2MEM-2MBS, Q2MEM-2MBF, Q2MEM-1MBS,Q2MEM-16MBA
– MAIN BASE: Q38B, Q35B, Q35SB, Q33SB, Q33B, Q32SB, Q312DB, Q612B, Q68B, Q65B, Q63B, Q312B
– MODULE DIGITAL MITSUBISHI:
+ MODULE NGÕ VÀO: AX10, AX11, AX11EU, AX20, AX21, AX21EU, AX40, AX41, AX41-S1, AX42, AX50, AX50-S1, AX60, AX60-S1, AX70, AX71, AX80, AX80E, AX81, AX81-S1, AX81-S2, AX81-S3, AX81B, AX82, AX31, AX31-S1, QS0J65BTB2-12DT, QX10, QX28, QX40-S1, QX40, QX41-S1, QX41, QX42, QX42-S1, QX48Y57, QX50,QX70, QX71, QX72, QX80, QX81, QX82, QX82-S1.
+ MODULE NGÕ RA: AY10, AY10A , AY11, AY11A, AY11AEU, AY11E, AY11EEU, AY13, AY13E, AY13EEU, AY15EU, AY20EU, AY22, AY23, AY40, AY40A, AY40P, AY41, AY41P, AY42, AY42-S1, AY42-S3, AY42-S4, AY50, AY51, AY51-S1, AY60, AY60E, AY60EP, AY60S, AY70, AY71, AY72, AY80, AY80EP, AY81, AY81EP, AY82EP, QY10, QY18A, QY22, QY40P, QY41P, QY42P, QY50, QY68A,QY70, QY71, QY80, QY81P.
– MODULE ANALOG MITSUBISHI: Q64AD, Q68DAVN, Q68DAIN, Q68ADV, Q68AD-G, Q66DA-G, Q66AD-DG, Q64TD, Q64TCTT, Q64TCRT, Q64RD,Q64DAN, Q62HLC, Q62DAN, Q62DA-FG, Q62AD-DGH
– MODULE POSITION MITSUBISHI: QD75D4, QD62QS001CPU, QS001CPU-K, QS034B, QS034B-K, QS061P-A1, QS061P-A2, QS061P-A2-K, QS0J61BT12, QS0J61BT12-K, QS0J71GF11-T2, QS0J65BTB2-12DT, QS0J65BTS2-8D, QS0J65BTS2-4T, QS0J65BTB2-12DT-K, QS90SR2SP-Q, QS90SR2SN-Q, QS90SR2SP-CC, QS90SR2SN-CC, QS90SR2SP-EX, QS90SR2SN-EX, QS90CBL-SE01, QS90CBL-SE15
CÔNG TY CỔ PHẦN SẢN XUẤT VÀ THƯƠNG MẠI PHẠM DƯƠNG
TRỤ SỞ: SN27, HẺM 201/12/20 ĐƯỜNG PHÚC LỢI, TỔ 6, P. PHÚC LỢI, Q. LONG BIÊN, TP. HÀ NỘI, VIỆT NAM.
MST: 0105176667
VPGD: SN 115/469, ĐƯỜNG NGUYỄN TRÃI, QUẬN THANH XUÂN, TP. HÀ NỘI.
TEL: 02485.854.668
HOTLINE: 0974.596.569 – 0973.378.659 – 0976.844.195 – 0968.627.188
KỸ THUẬT: 0976844195 – 0945627188
EMAIL: INFO@PHAMDUONGJSC.COM.VN – PHAMDUONGJSC@GMAIL.COM
WEBSITE: https://phamduongjsc.com.vn/- https://phamduongjsc.com/
WEBSITE: https://tudonghoa365.com/- https://plc-hmi-sensor.com/.
WEBSITE: https://plc-hmi-servo-sensor-panasonic.com/
WEBSITE: https://plc-hmi-servo-mitsubishi.com/

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

QS0J65BTB2-12DT-K

Mô tả sản phẩm

THÔNG SỐ KỸ THUẬT HIỆU SUẤT QS0J65BTB2-12DT-K

Số đầu vào

Điện áp đầu vào định mức

Xếp hạng đầu vào hiện tại

Số điểm đầu vào đồng thời tối đa

BẬT điện áp / BẬT hiện tại

TẮT Điện áp / TẮT Dòng điện

Kháng đầu vào

Định dạng đầu vào

Thời gian phản hồi đầu vào

TẮT > BẬT

BẬT > TẮT

Thời gian đáp ứng đầu vào trạm từ xa an toàn

Phương thức nhập chung

Phương pháp cách nhiệt đầu vào

Số đầu ra

Điện áp tải định mức

Phạm vi điện áp tải hoạt động

Dòng tải tối đa

Dòng khởi động tối đa

Dòng điện rò rỉ khi TẮT

Giảm điện áp tối đa khi BẬT

Chức năng bảo vệ

Định dạng đầu ra

Thời gian đáp ứng đầu ra

TẮT > BẬT

BẬT > TẮT

Thời gian đáp ứng đầu ra của trạm từ xa an toàn

TẮT > BẬT

BẬT > TẮT

Ức chế đột biến

Đầu ra phương pháp chung

Dòng điện chung

Phương pháp cách nhiệt đầu ra

Độ bền điện môi

Vật liệu chống điện

lớp bảo vệ

Loại trạm

Số trạm chiếm đóng

Số lần truy cập vào bộ nhớ cố định bên trong thiết bị

Trạm từ xa an toàn Thời gian xử lý phản hồi làm mới

Cung cấp điện bên ngoài

Vôn

Hiện hành

Chức năng bảo vệ

Cầu chì

đơn vị cung cấp điện

Vôn

Hiện hành

Chức năng bảo vệ

Cầu chì

Thời gian mất điện tạm thời cho phép

Phương thức kết nối dây bên ngoài

Cân nặng

THÔNG SỐ KỸ THUẬT CHUNG QS0J65BTB2-12DT-K

Nhiệt độ môi trường xung quanh

Nhiệt độ lưu trữ xung quanh

Độ ẩm hoạt động xung quanh

Độ ẩm lưu trữ xung quanh

chống rung

Tương thích JIS B 3502, IEC 61131-2

Dưới sự rung động không liên tục

Dưới rung động liên tục

Chống va đập

Bầu không khí điều hành

Độ cao hoạt động

Vị trí lắp đặt

Danh mục quá áp

Mức độ ô nhiễm

lớp thiết bị

Đánh giá

Hãy là người đầu tiên nhận xét “QS0J65BTB2-12DT-K” Hủy

Sản phẩm liên quan

FX3G-60MT/ESS

FX3GA-24MR-CM

FX3U-80MR/ES-A

PLC MITSUBISHI FX3G-60MR/ES-A